光刻胶工作原理

光刻胶是一种常用于光刻技术中的重要材料，它用于制作集成电路、光学器件、MEMS等微纳加工领域。

光刻胶工作原理主要涉及光敏反应、曝光和显影三个步骤。

首先是光敏反应，光刻胶的基本成分是聚合物和光敏剂。聚合物是由单体分子经过聚合反应形成的高分子化合物，具有较好的耐热性和机械性能。光敏剂则是能够在紫外光照射下发生光化学反应的物质，常见的光敏剂有光酸、光酮等。光刻胶在制备过程中，先将光刻胶涂敷在基材上，再通过烘烤将其干燥，使聚合物形成较为均匀的薄膜。

接下来是曝光过程，在曝光步骤中，通过使用光源照射已涂敷光刻胶的样品，光刻胶中的光敏剂会吸收光能并发生光化学反应。这个反应使得光敏剂发生化学变化，从而引起光刻胶的物理和化学性质的变化。曝光光频率和强度会影响光刻胶的受光区域，透过掩膜的不同区域会有不同的光刻胶光敏反应发生。

最后是显影过程，显影是将经过曝光的样品进行腐蚀或溶解处理，从而形成所需的结构。曝光过后，已被光敏剂激活的区域会变得溶解性较好，而未激活的区域溶解性较差。选择一种合适的溶剂（通常是有机溶剂），将样品进行显影处理，溶剂会将未被曝光的光刻胶区域溶解掉，从而得到所需的图案。

通过光敏反应、曝光和显影三个步骤，光刻胶能够实现微米甚至纳米尺度的图案形成。光刻胶的工作原理对于微纳加工领域的研究和应用具有重要的意义。